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精密結晶方位決定および切断における二次クランプ誤差を排除するには？
精密結晶方位決定および切断における二次クランプ誤差を排除するには？

1. 材料科学における精密化の課題： 先端材料研究の分野、特に炭化ケイ素（SiC）や窒化ガリウム（GaN）などのワイドバンドギャップ半導体材料においては、結晶方位が決定的に重要である。わずか0.1度のずれでも、電子移動度、熱伝導率、エピタキシャル成長の品質に大きな変動が生じる可能性がある。

2026/04/20
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