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高真空プラズマ化学蒸着システム（プラズマCVD）
平行板容量性PECVDは、プラズマを使用して反応性ガスを活性化し、基板表面または表面近傍の空間で化学反応を促進して固体膜を形成する技術です。プラズマ化学蒸着技術の基本原理は、高周波またはDC電界の作用下でソースガスがイオン化されてプラズマを形成し、低温プラズマをエネルギー源として使用し、適切な量の反応性ガスを導入し、プラズマ放電を使用して反応性ガスを活性化し、化学蒸着を形成することです。
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平行板容量性PECVDは、プラズマを使用して反応性ガスを活性化し、基板表面または表面近傍の空間で化学反応を促進して固体膜を形成する技術です。プラズマ化学蒸着技術の基本原理は、高周波またはDC電界の作用下でソースガスがイオン化されてプラズマを形成し、低温プラズマをエネルギー源として使用し、適切な量の反応性ガスを導入し、プラズマ放電を使用して反応性ガスを活性化し、化学蒸着を形成することです。
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